ISSN 2224-087X (Печатная версия)
ISSN 2224-0888 (Online-версия)

Сборник научных трудов "Электроника и информационные технологии"

(С 1966 года по 2010 год выходил под названием "Теоретическая электротехника")

Свидетельство о государственной регистрации КВ № 17618-6468ПР от 11.02.2011 г.

Главная страница Поиск Правила оформления статей Українська     English

Выпуск 4

Выпуск 4, Страницы: 3-23
Физика оптических компьютеров
И. Половинко, Т. Криль
Описано основы физики оптических вычислительных машин. Показано, что для дальнейшего увеличения быстродействия оптических вычислительных машин необходимо использовать вместо электронов фотоны. Это теоретически позволит почти в 103 раз повысить быстродействие устройств при таких же размерах. Проанализировано существующие в настоящее время системы обработки информации и возможности создания интегрально-оптических элементов оптических вычислительных машин. Отмечено, что первоочередной задачей в настоящее время является создание миниатюрных оптических процессоров, основой которых являются оптические транзисторы (ОТ). Описано некоторые существующие (круговые резонаторы) и перспективные (наночастицы) оптические транзисторы.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 24-38
Закон Ампера й парадоксальні експерименти в електродинаміці
В. Петущак, Н. Козлова, Б. Осика
Приведены доказательства неадекватности современной трактовки закона Ампера, основанной на признании нарушения третьего закона Ньютона в магнитных взаимодействиях проводников с током, а также адекватный вариант трактовки этого закона. Ряд так называемых парадоксальных экспериментов в электродинамике являются именно теми, в которых физики признают нарушения третьего закона Ньютона. Русский физик Г. Николаев, исследовав такие эксперименты, доказал выполнение третьего закона Ньютона в магнитных взаимодействиях проводников с током. Особенностью этих экспериментов является и то, что в них нарушается принцип ортогональности магнитной силы к оси проводника, что следует из закона Ампера. Г. Николаев предложил эмпирическую формулу модифицированного закона Ампера, в которой третий закон Ньютона выполняется, а магнитные силы, действующие на элементы проводника, не ортогональные к их осям, могут иметь даже аксиальное направление. Мы, основываясь на свойствах относительности силового взаимодействия элементов проводников, вывели эту формулу теоретически.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 39-45
Релаксационная оптика: проблемы моделирования процессов переизлучения
П. Трохимчук, И. Дмитрук
Проанализировано проблему влияния переизлучения на формирование необратимых изменений в лазерно-облученных материалах. Это одна из самих важных проблем релаксационной оптики. Показано отличие эффектов переизлучения от эффектов радиационно-стимулированной диффузии. Эти эффекты рассмотрено на примере антимонида индия. Приведено и обсуждено соответствующие модели, которые позволяют описать наблюдаемые явления.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 46-52
Черенковское излучение как эффект нелинейной и релаксационной оптики
П. Трохимчук
Проанализировано проблему черенковского излучения как эффекта нелинейной и релаксационной оптики. Приведено основные модели этого явления, включая микроскопическую. Рассмотрено основные модели явлений самофокусировки и самоканалирования, а также вопрос формальной эквивалентности "конусной" части эффектов самофокусировки и самоканалирования и черенковського излучения.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 53-64
Люминесценция кристаллов PbWO4: Tb и CdWO4: Tb, Li при фотонном возбуждении
С. Новосад , Л. Костык, И. Новосад, А. Лучечко, М. Партыка, Т. Теплый
Проведено сравнительный анализ результатов исследования люминесценции кристаллов PbWO4:Tb и CdWO4:Tb, Li при синхротронном и оптическом возбуждениях. В случае возбуждения фотонами в области 88 нм (14,09 эВ) люминесценция слаболегированного кристалла PbWO4:Tb при 8 К в основном обусловлена центрами, характерными для PbWO4. В сильно-легированном кристалле CdWO4:Tb, Li при возбуждении синхротронным излучением в области фундаментального поглощения при 10 К на фоне свечения матрицы наблюдается люминесценция, обусловленная ионами Tb3+. Из рассмотренных литературных данных и полученных результатов следует, что матричная люминесценция PbWO4: Tb и CdWO4: Tb, Li обусловлена автолокализованными и локализованными на дефектах экситонами. Низкотемпературная люминесценция этих кристаллов эффективно возбуждается синхротронным излучением в области длинноволнового края фундаментального поглощения и в области фотонного умножения. При оптическом возбуждении кристаллов PbWO4:Tb и CdWO4:Tb, Li в области примесного поглощения при 300 К наблюдается, в основном, люминесценция ионов Tb3+, обусловленная переходами в пределах 4f8-конфигурации из возбужденных состояний 5D4 на уровне 7FJ. Отличие в катионном составе и понижение симметрии кристаллической структуры матрицы исследованных вольфраматов с тетрагональной на моноклинную не приводит к изменению закономерностей излучения ионов тербия.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 65-73
Влияние модификации поверхности на спектры люминесценции НК CdS
В. Смынтына, Б. Семененко, В. Скобеева, Н. Малушин
Исследовано влияние межфазных поверхностных процессов на люминесценцию. Установлено, что влажность воздуха существенно влияет на рекомбинационные процессы в нанокристаллах CdS. Обнаружено фотостимуляцию коротковолновой полосы излучения с λmax = 480 нм. Показано, что гидроксильные группы молекул воды участвуют в модификации поверхности нанокристаллов. На основании экспериментальных исследований по локализации фотоиндуцированной полосы относительно спектра поглощения, температурной зависимости интенсивности свечения и исследований излучения в атмосфере воздуха и вакуума установлено природу и механизм рекомбинации, который обусловливает люминесценцию с λmax = 480 нм.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 74-80
Влияние pH раствора на синтез нанокристаллов сульфида кадмия и их оптические свойства
В. Смынтына, В. Бошерницан, В. Скобеева, Н. Малушин
Исследовано влияние рН раствора на формирование нанокристаллов и их размер в процессе синтеза. Проведено анализ спектров оптического поглощения и люминесценции коллоидных растворов НК CdS. Нанокристаллы сульфида кадмия были получены с помощью золь-гель технологии в желатиновом растворе, который имеет различные значения рН (6-10). Показано зависимость контура спектров люминесценции от рН раствора. Установлено уменьшение среднего размера НК от 8 до 3,5 нм при уменьшении значения рН от 10 до 6.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 81-87
Генерация (Tl0-Tl2+)- комплементарных пар в щелочно-галоидных кристаллах
З. Чорний, М. Панасюк, Н. Дячук, И. Пирко, В. Салапак
Рассчитано кинетику образования активаторных центров окраски в ионных кристаллах. В одномерной модели ионного кристалла рассчитано радиационные параметры щелочно-галоидных кристаллов, легированных ионами талия. Показано, что вероятность генерации центров окраски под действием ионизирующей радиации меньше вероятности высвечивающего действия, и она стремительно уменьшается с уменьшением концентрации активатора. Концентрация центров окраски составляет 10 % от концентрации активатора на стадии насыщения. Рассчитано энергию, необходимую для создания пары центров окраски, и кинетика нарастания их количества.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 88-94
Выбор рабочей точки полупроводникового сенсора температуры
Б. Павлык, А. Грыпа, А. Леновенко, Р. Дидык, Р. Лыс, Д. Слободзян, И. Шикоряк, М. Кушлык
Исследовано влияние рентгеновского облучения (Х-лучей) и слабых магнитных полей на электрофизические характеристики термосенсоров на базе p-n-перехода транзистора 2Т363А. Из анализа изменений вольт-амперных характеристик показано, что на начальной стадии рентгеновского облучения наблюдается увеличение эффективности рекомбинационных процессов в области пространственного заряда и незначительное уменьшение величины прямого тока вольт-амперных характеристик. Внешнее магнитное поле (В = 0,17 Тл) практически не изменяет эффективности рекомбинационных процессов в области пространственного заряда, но влияет на диффузионную компоненту прямого тока через p-n-переход. Показано, что рабочую точку термосенсора следует выбирать на участке, где вольт-амперные характеристикт совпадают. Действие рентгеновских лучей (D < 325 Гр) и магнитных полей (экспозиция до 15 часов) практически не изменяет вольт-температурных характеристик.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 95-102
Влияние задержки в управлении на процесс полёта квадрокоптера
Б. Благитко, Ю. Мочульский
Приведено результаты исследований математической модели квадрокоптера с пропорционально-дифференциальным управлением в аспекте стабилизации полёта и оптимального вывода квадрокоптера на заданный режим с учётом особенностей электродвигателей. Математическая модель квадрокоптера представлена системой дифференциальных уравнений в форме Коши 16-го порядка. Входной информацией служит высота полёта квадрокоптера, значения углов тангажа, крена, рыскания и изменение их во времени. ПД-регулятор реализован на микроконтроллере и меняет силу тяги винтов, задавая напряжения на четырёх электродвигателях. Рассмотрено тестовый пример автоматического исполнения фигуры простого пилотажа - горизонтальной восьмёрки (как с правым, так и с левым поворотами). Исследовано влияние временной задержки в микроконтроллере между подачей положения квадрокоптера и выдачей вычисленного напряжения на траекторию полёта.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 103-110
Влияние механических напряжений на неоднородные состояния в микрокристаллах с несоразмерной сверхструктурой
И. Карпа, С. Свелеба, И. Катеринчук, Я. Шмигельский, И. Куньо, Е. Фицыч
Изучено влияние толщины микрокристаллов на пространственную неоднородность параметра порядка. Исследовано неоднородные структуры для модели с инвариантом Лифшица без использования допущения о постоянстве амплитуды. Показано, что в микрокристаллах вследствие несоответствия коэффициентов линейного расширения кристалла и подложки возникают механические напряжения, которые меняют пространственное поведение амплитуды и фазы параметра порядка несоразмерной сверхструктуры. Установлено удвоение периода сверхструктуры (возникновение бифуркаций) вследствие влияния механических напряжений, что приводит к появлению волны суперпозиции существующих волн модуляций и хаотической структуры.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 111-119
Исследование алгоритмов оценки локальных погрешностей усечения, возникающих в процессе математического моделирования динамических систем
Я. Кость, И. Хвищун, Я. Шмигельский
Приведено алгоритмы оценивания локальных погрешностей усечения для самых распространенных методов интегрирования уравнений математических моделей. Предложено способ практической реализации такого оценивания для неявного метода трапеций. Приведено серию тестовых задач с разными коэффициентами жесткости, для которых аналитические решения известны. Эти задачи решены разными методами интегрирования уравнений математических моделей. Сравнено точность названных алгоритмов оценивания локальных погрешностей и сделано выводы об их эффективности.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 120-126
Моделирование фотопроводимости пористого кремния со сферической и цилиндрической геометрией пор (англ.)
Л. Монастирский, Б. Соколовский, М. Павлык
Методом конечных элементов исследовано влияние неоднородности распределения пор на фотопроводимость пористого кремния. Для цилиндрических пор существеннее влияние гауссовского распределения величин радиусов пор проявляется для небольших расстояний между центрами пор (R* ~ 0,2) и при малых скоростях поверхностей рекомбинации фотоносителей (S* ~5). Типичный характер роста фотопроводимости при увеличении расстояния между центрами пор имеет участок насыщения только для низких скоростей поверхностной рекомбинации (S* ~ 5). Для пористого кремния с цилиндрической геометрией пор уменьшение фотопроводимости за счет рекомбинационных процессов при одинаковых радиусах пор, расстояниях между центрами пор, скоростях поверхностной рекомбинации в несколько раз существеннее, чем для пористого кремния со сферической геометрией пор. Полученные результаты можно использовать при создании сенсорных устройств, работающих на особенностях эффекта фотопроводимости пористых материалов.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 127-140
Числовое моделирование механических взаимодействий в процессах надвигообразования коры Земли
В. Фурман, Н. Хомяк, Л. Хомяк
Конечно-элементные модели используют для моделирования тектонического сжатия осадочных пород на подводной стадии и с учетом фрикционного скольжения на горизонте срыва. Числовые результаты показывают определенные особенности неоднородных областей напряжения для маленького (0,01-0,5), среднего (0,5-0,64), большого (0,64-0,8) и очень большого (0,8-1,15) коэффициента трения. Величина касательного контактного напряжения контролирует фронт между зонами скольжения и прилипания. Используя критерий разрушения Мора-Кулона, по траекториям напряжения можно предсказать надвиговые структуры.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 141-147
Исследование комплексной магнитной проницаемости по комплексному сопротивлению катушки индуктивности с ферромагнитным сердечником
Д. Трушаков, С. Рендзиняк, І. Васильчишин
Описано методику определения комплексной магнитной проницаемости ферромагнитного материала по результатам измерения комплексного сопротивления катушки индуктивности с ферромагнитным сердечником. Комплексное сопротивление катушки измеряли с помощью измерителя иммитанса Е7-25.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 148-155
Программная поддержка практических занятий по программированию
В. Бондарев
Предложено программное и методическое обеспечение для проведения практических занятий по программированию. Методическую основу предложения составляет сборник задач и автоматическая проверка программ, написанных студентами. Программное обеспечение состоит из клиент-серверного приложения, работающего в локальной сети. Как показал опыт, предлагаемый подход повышает заинтересованность студентов, делает их работу более интенсивной и в то самое время разгружает преподавателя от рутины и дает ему возможность индивидуализировать процесс обучения.
PDF-версия

Выпуск 4, Страницы: 156-173
Специализированные дистрибутивы для образовательных и исследовательских учреждений
Е.Р. Алексеев, В.И.Родионов, О.В. Чеснокова, С.С. Чоповский
Обосновано использование свободных дистрибутивов в учебных и научных учреждениях. Описано методику создания локального репозитория свободных программ. Рассмотрено приложения для сборки операционных систем. Приведено рекомендации по сборке собственных дистрибутивов.
PDF-версия

Главная страница Поиск Правила оформления статей Українська     English

© Львовский национальный университет имени Ивана Франко, 2011

Разработка программного обеспечения и поддержка - лаборатория высокопроизводительных вычислительных систем