ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 9

Випуск 9, Сторінки: 164-171
РЕНТГЕНОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ КРИСТАЛА $mathrm{Tl_4CdI_6}$
М. Соловйов, О. Футей, В. Франів, В. Соловйов, В. Стахура, А. Франів, А. Кашуба
Перспективність досліджуваних сполук зумовлена їхнім практичним застосуванням як робочих елементів давачів температури та детекторів іонізаційного випромінювання. Тобто ці матеріали з керованими фізичними параметрами є перспективними для оптоелектроніки та нелінійної оптики. Серед відомих матеріалів (CdTe, CdTe-СdZn, TlBr, $MI_2$ ($M$ = Pb, Hg)) для детектування іонізаційного випромінювання вирізняється трикомпонентна сполука $mathrm{Tl_4CdI_6}$, адже саме в ній реалізуються всі необхідні вимоги для детекторів радіаційного випромінювання. Кристал $mathrm{Tl_4CdI_6}$ має велике значення ширини забороненої зони ($E_g$ = = 2,83 еВ). Наявність Tl компоненти підвищує коефіцієнт поглинання матеріалу для рентгенівських та ?-променів через високу густину ($ ho$ = 6,87 г/см^3 та Z (Tl = 81, Cd = 48, I = 53). Оптичні люмінесцентні властивості кристалів цікаві в науковому плані, оскільки надають важливу інформацію про особливості фононного та екситонного спектрів, а також домішки і дефекти кристалічної структури. За допомогою спектрів рентгенолюмінесценції завдяки глибшому проникненню електронів збудження в речовину можна дослідити його об’єм. Спектри рентгенолюмінесценції виявляють якісно подібну структуру для обох досліджених кристалів, принаймні для спектрального розподілу інтенсивності світіння. Для них ми виконали розклад на складові смуги з ґаусовим профілем. Описано дослідження низькотемпературних спектрів (80-130 К) рентгенолюмінесценції та морфологічних особливостей кристалів $mathrm{Tl_4CdI_6}$. Наведено аналіз особливостей поверхні кристала з використанням сканувального електронного мікроскопа. Схарактеризовано структурні параметри та змодельовано структуру кристала $mathrm{Tl_4CdI_6}$. Проаналізовано температурну поведінку спектрів рентгенолюмінесценції та ідентифікацію положення максимумів. Обговорено рекомбiнацiйнi механізми, пов’язані з природною анізотропією досліджуваних сполук. Названо галузь можливого практичного застосування досліджуваних сполук.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем