ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 9

Випуск 9, Сторінки: 150-163
ВПЛИВ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОГО ВІДПАЛУ У ВАКУУМІ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО $n-mathrm{Cd_xHg_{1-x}Te}$ $(x approx 0,19)$
В. Белюх, Б. Павлик
Досліджено вплив низькотемпературного (373 К) відпалу у вакуумі на електрофізичні характеристики монокристалічного $n-mathrm{Cd_xHg_{1-x}Te}$ $(x approx 0,19)$ з високою рухливістю носіїв заряду. Вимірюванням температурних залежностей сталої Холла $R_H$, питомої електропровідності $sigma$ і холлівської рухливості $mu_H$ доведено, що вже через декілька годин перебування цього матеріалу за такої температури у вакуумі відбувається інверсія типу провідності (n-типу в p-тип). Кількісний аналіз змін електрофізичних параметрів виконано на основі моделей для $n-$ і $p-mathrm{Cd_xHg_{1-x}Te}$. Результати моделювання засвідчили, що у випадку низькотемпературного відпалу у вакуумі причиною інверсії типу провідності є термічна генерації дефектів акцепторного типу (вакансії Hg). Підтверджено висновок про те, що для збереження стабільності фізичних параметрів монокристалічного $n-mathrm{Cd_xHg_{1-x}Te}$ $(x approx 0,19-0,21)$ з високою рухливістю носіїв заряду обов’язковою є пасивація поверхні цього матеріалу.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем