ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 8

Випуск 8, Сторінки: 135-142
Вплив процесу вимірювання опору кристалів p-Si на його значення за дії пружної деформації
Б. Павлик, Р. Дідик, Р. Лис, Й. Шикоряк, Д. Слободзян
Досліджено вплив процесу вимірювання опору кристалів p-Si на його абсолютне значення за дії пружної деформації та магнітного поля (В = 0,354 Тл).
Визначено вплив прикладеної напруги до зразка на результати вимірювання залежності R(σ). З’ясовано, що зовнішня прикладена напруга, яка збігалася з полярністю напруги від омметра, зумовлює збільшення електричного опору кристалів. Оброблення зразка зовніш-нім електричним полем (напругою 1 В) зумовлює збільшення швидкості зміни опору майже на порядок під час вимірювання R(σ).
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем