ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 8

Випуск 8, Сторінки: 127-134
Вплив високотемпературного відпалу і пружної деформації на дислокаційну електролюмінесценцію кремнію р-типу
Б. Павлик, М. Кушлик, Д. Слободзян, Р. Лис, Й. Шикоряк, Р. Дідик, І. Матвіїшин
У даній статті приведені результати досліджень перебудови центрів дислокаційної електролюмінесценції в структурах на основі р-Si зі збільшеною концентрацією домішки кисню в поверхневому шарі кристалу. Представлено залежність величини інтенсивності дислокаційної електролюмінесценції від концентрації дислокацій після пластичної деформації кристалів кремнію і часу високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню. Еволюція структурних дефектів і домішок в процесі пружної деформації збільшує інтенсивність D1-лінії (1,54 мкм).
Моделювання фізичних процесів в приконтактних шарах Si (в структурі Al-Si) вказує на присутність локального механічного напруження. Такі шари виступають як гетерні ділянки для структурних дефектів і домішок, що сприяє зростанню випромінювальних центрів рекомбінації.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем