ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 61

Випуск 61, Сторінки: 60-68
Застосування моделі дискретного розподілу часів релаксації для опису діелектричної дисперсії у високоомних кристалах GaSe
О. Флюнт
Низькочастотний діелектричний спектр типу ωn-1, де ω - кутова частота, а n ≈ 0,8, у високоомних кристалах GaSe проаналізовано за допомогою запропонованої моделі дискретного розподілу концентрації ефективних диполів за часами релаксації. З’ясовано, що цю систему не можна характеризувати єдиною концентрацією ефективних диполів, проте концентрації, обчислені в межах реально можливого частотного діапазону, у разі довільного вибору частоти не повинні відрізнятися між собою більше ніж на два порядки. Перерозподіл спектра розподілу ефективних часів релаксації в разі зміни температури дає змогу пояснити експериментальні температурні залежності частотно залежної діелектричної проникності та показника степеня n в ділянці домінування спектра, характерного для системи зі стрибковим переміщенням носіїв заряду, та оцінити порядки цих величин
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем