ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English

Випуск 61

Випуск 61, Сторінки: 171-179
Особливості електропровідності опромінених та пружнодеформованих кристалів р-Si
Б. Павлик, Р. Дідик, Й. Шикоряк, М. Кушлик, І. Чегіль
Досліджено механостимульовані електрофізичні процеси в кристалах p-Si, які були піддані дії рентгенівського опромінення. З’ясовано, що в процесі одновісної пружної деформації в кристалах p-Si відбувається прогинання наявних дислокацій. На ядрах цих дислокацій локалізовані хмарини Котрелла, які змінюють механостимульовану електропровідність зразків. Немонотонність зміни механостимульованої провідності є підтвердженням локалізації заряджених дефектів та домішок у хмаринах Котрелла. На підставі експериментальних даних доведено, що низькодозове (D ≤ 260 Гр) Х-опромінення приводить до збільшення механічної жорсткості досліджуваних кристалів. Цей ефект пояснюється процесами радіаційно-стимульованого впорядкування дефектної структури кристала, а також тим фактом, що міжвузлові атоми Si, які утворюються під дією опромінення, є ефективними стопорами для руху дислокацій
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем