ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English

Випуск 60

Випуск 60, Сторінки: 156-162
Еволюція заряду в діелектрику на межі поділу Bi-Si-Al, стимульована дією радіації
Б. Павлик, А. Грипа, Д. Слободзян, Р. Лис, Й. Шикоряк, Р. Дідик
Досліджено радіаційно-стимульовані зміни вольт-фарадних характеристик, густину поверхневих станів та величину ефективного заряду, локалізованого в ділянці області діелектричного бар’єрного прошарку. З’ясовано, що за доз рентгенівського опромінення D<260 Гр відбувається локалізація додатного заряду на генерованих центрах захоплення і, як наслідок, зменшення амплітуди характерного максимуму на ВФХ. У діапазоні досліджуваних доз опромінення утворення нових центрів не виявлено.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем