ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 6

Випуск 6, Сторінки: 39-44
Вплив пружної деформації на електропровідність зразків p-Si з різною концентрацією дислокацій
Б. Павлик, Р. Дідик, Р. Лис, Й. Шикоряк
Досліджено вплив дислокацій на залежність провідності кристалів p-Si в процесі пружної одновісної деформації. Під час пружної деформації "бездислокаційного" зразка в кристалічній ґратці виникають дефекти, що відіграють роль пасток для основних носіїв струму. Наявність дислокацій суттєво змінює залежність провідності кристалів від механічного навантаження. З’ясовано, що в ході припинення процесу стискання простежується швидка зміна опору і механічного навантаження зразка. За умови припинення процесу за розтискання подібна залежність не простежується.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем