ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 6

Випуск 6, Сторінки: 143-149
Моделювання впливу радіації на характеристики термосенсорів
Б. Павлик, А. Грипа, О. Кравець, Я. Шмигельський
Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х-променів) на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі р-n-переходу транзистора КТ3117А. Аналіз характеристик напівпровідникових сенсорів, а також їх зміни під дією Х-випромінювання дозволяють стверджувати, що на початковій стадії опромінення домінують процеси радіаційно-стимульованого впорядкування - покращення характеристик сенсора. Також, здійснено спробу визначення радіаційно стимульованого коефіцієнту дифузії носія заряду, на базі отриманого значення здійснено моделювання впливу радіації при малих дозах опромінення.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем