ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 5

Випуск 5, Сторінки: 78-82
Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур
Б. Павлик, Р. Дідик, Й. Шикоряк, Р. Лис, Д. Слободзян, А. Грипа, М. Кушлик
Дислокації, домішки та інші дефекти ґратки можуть по-різному впливати на електрофізичні властивості напівпровідникового монокристала. Напівпровідникові матеріали (наприклад, вимірювання розподілу профілю концентрації електрично-активних центрів і визначення основних параметрів глибоких рівнів у напівпровідникових структурах методом вимірювання ємності р-n-переходу) доцільно досліджувати на зразках з різною концентрацією дефектів. Виникає проблема підведення випробувальних сигналів від генератора до металізованих контактів, спеціально нанесених у конкретні місця на поверхні напівпровідника. Для збільшення точності вимірювань діаметр нанесених контактів не повинен перевищувати 0,5 мм. Ми спроектували та виготовили спеціальний пристрій, який забезпечує потрапляння зондів на нанесені на дослідний зразок контакти. Це дає змогу отримувати вимірювальну інформацію з декількох контактів за один цикл зміни зовнішніх чинників. Описано склад та принцип роботи пристрою.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем