ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 5

Випуск 5, Сторінки: 22-32
Зоннa структура кристалiв Rb2ZnCl4 у параелектричній фазі
В. Курляк, О. Бовгира, В. Стадник, І. Матвіїшин, В. Стахура, Л.-Д. Карплюк
На підставі самоузгодженого розрахунку в межах теорії функціонала електронної густини з використанням ультрам’яких псевдопотенціалів та різних апроксимацій для опису потенціалу електрон-електронної взаємодії (LDA і GGA) визначено зонно-енергетичні діаграми та розподіли густини електронних станів кристалів Rb2ZnCl4 в орторомбічній параелектричній фазі. Найменша пряма заборонена щілина (точка Г) становить 4,61 еВ у випадку GGA та 4,34 еВ у випадку LDA. Зони валентного комплексу вирізняються порівняно слабкою дисперсією в k-просторі, тоді як зони провідності мають значну дисперсію. Область найвищої дисперсії зон локалізована поблизу центра зони Бріллюена - точки Г. На підставі вивчення парціальних внесків окремих груп зон у розподіл густини станів визначено їхній генезис. Основний внесок у густину станів в області -4,6 еВ припадає на d-орбіталі Zn. Верхні зони валентного комплексу формують 3p-орбіталі хлору, гібридизовані з 5s- та 4p-станами рубідію, а також 3d-орбіталями цинку. Чотири нижні зони провідності значною мірою формуються s-орбіталями Rb. Лише до четвертої зони провідності значний внесок роблять s-стани Zn, локалізовані поблизу точки Z зони Бріллюена, гібридизовані з p-станами хлору.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем