ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English

Випуск 4

Випуск 4, Сторінки: 88-94
Вибір робочої точки напівпровідникового сенсора температури
Б. Павлик, А. Грипа, А. Леновенко, Р. Дідик, Р. Лис, Д. Слободзян, Й. Шикоряк, М. Кушлик
Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х-променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі р-n-переходу транзистора 2Т363А. На підставі аналізу змін вольт-амперних характеристик доведено, що на початковій стадії рентгенівського опромінення простежується збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму вольт-амперних характеристик. Зовнішнє магнітне поле (В = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду, однак впливає на дифузійну компоненту прямого струму через р-n-перехід. З’ясовано, що робочу точку термосенсора треба вибирати на ділянці, де вольт-амперні характеристики збігаються. Дія рентгенівських променів (D < 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 год) практично не змінила вольт-температурні характеристики.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем