ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English

Випуск 4

Випуск 4, Сторінки: 53-64
Люмінесценція кристалів PbWO4:Tb і CdWO4:Tb,Li в разі фотонного збудження
С. Новосад, Л. Костик, І. Новосад, А. Лучечко, М. Партика, Т. Теплий
Виконано порівняльний аналіз результатів дослідження люмінесценції кристалів PbWO4:Tb і CdWO4:Tb,Li у разі синхротронного та оптичного збуджень. У випадку збудження фотонами в ділянці 88 нм (14,09 еВ) люмінесценція слабколегованого кристала PbWO4:Tb при 8 К головно зумовлена центрами, характерними для PbWO4. У сильнолегованому кристалі CdWO4:Tb,Li у разі збудження синхротронним випромінюванням у ділянці фундаментального поглинання при 10 К на фоні світіння матриці простежується люмінесценція, зумовлена йонами Tb3+. З розглянутих літературних даних та отриманих результатів випливає, що матрична люмінесценція PbWO4:Tb і CdWO4:Tb,Li зумовлена автолокалізованими і локалізованими на дефектах екситонами. Низькотемпературну люмінесценцію цих кристалів ефективно збуджує синхротронне випромінювання в ділянці довгохвильового краю фундаментального поглинання і в ділянці фотонного помноження. У разі оптичного збудження кристалів PbWO4:Tb і CdWO4:Tb,Li у ділянці домішкового поглинання при 300 К спостерігають головно люмінесценцію йонів Tb3+, яка зумовлена переходами в межах 4f8-конфігурації зі збуджених станів 5D4 на рівні 7FJ. Відмінність у катіонному складі й зниження симетрії кристалічної структури матриці досліджених вольфраматів з тетрагональної на моноклінну не приводить до зміни закономірностей випромінювання іонів тербію.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем