ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 2

Випуск 2, Сторінки: 57-64
Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації
Б. Павлик, М. Кушлик, Р. Дідик, Й. Шикоряк, Д. Слободзян, А. Грипа, Р. Лис, Б. Кулик
З’ясовано, що напилення плівки Al зумовлює деформацію приповерхневого шару кремнію. Виявлено ефект гетерування дефектів з об’єму зразка, деформованого приповерхневим шаром, унаслідок пружної одновісної деформації кристала. Отримана залежність зміни опору цих зразків від розміру пружної деформації підтверджує гетерування дефектів у приповерхневому деформованому шарі. Виконано теоретичні розрахунки максимальної глибини захоплення цих дефектів на основі енергії взаємодії деформованого шару та дислокацій
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем