ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 2

Випуск 2, Сторінки: 27-32
Генерування дислокацій в напівпровідникових кристалах методом пластичної деформації
Б. Павлик, Р. Дідик, Й. Шикоряк, Р. Лис, Д. Слободзян, А. Грипа, М. Кушлик, І. Чегіль
Проаналізовано вплив дислокацій на фізичні властивості напівпровідникових кристалів. Запропоновано оригінальну установку пластичної деформації масивних (товщиною до 4 мм) монокристалічних зразків кремнію. Описано процес підготовки зразків до деформації. Розглянуто особливості розподілу дислокацій на площині (111) вздовж деформованих зразків залежно від деформації. Наведено картини селективного травлення поверхні (111) деформованих зразків р-Si
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем