ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 12

Випуск 12, Сторінки: 133-145
МОЖЛИВИЙ ФІЗИЧНИЙ МЕХАНІЗМ ФОРМУВАННЯ ЕКСПОНЕНЦІАЛЬНОГО КРАЮ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО ПОГЛИНАННЯ У НЕПРЯМОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ
В. Белюх, Б. Павлик, Г. Данилюк
На підставі спільного аналізу результатів оптичних досліджень шаруватих напівпровідників $mathrm{Tl_2S}$ і GaSe і розрахунків енергетичної зонної структури цих кристалів запропоновано фізичний механізм формування експоненціального краю фундаментального поглинання (КФП) у непрямозонних напівпровідниках. Результати моделювання показали хороше узгодження теоретичних спектрів оптичного поглинання, $alpha (homega)$, з експериментальними спектрами цих сполук. Чисельні значення зонних параметрів, визначені в процесі моделювання, цілком задовільно узгоджуються із значеннями цих величин, одержаних із розрахунків енергетичних зонних структур $mathrm{Tl_2S}$ і GaSe. Це дає підстави використовувати запропоновану модель як своєрідну методику визначення ширини забороненої зони у непрямозонних напівпровідниках у разі експоненціальної форми КФП. Висловлене припущення про можливу універсальність такого фізичного механізму формування КФП у непрямозонних напівпровідниках.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем