ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 10

Випуск 10, Сторінки: 133-141
ДОСЛІДЖЕННЯ ФОТОПРОВІДНОСТІ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ
П. Парандій, Л. Монастирський
На сьогоднішній день виникає необхідність в розробці мікроелектронних систем детектування газів для промислових, офісних та житлових приміщень, які можуть бути компонентами інтегральних систем захисту життя і здоров’я людини. Особливий інтерес представляють сенсори на основі нанопоруватих напівпровідників, зокрема, поруватого кремнію. Для проектування таких сенсорів необхідно знати залежності фотопровідності поруватого кремнію від стану поверхні, що залежить від газового середовища, в якому він знаходиться, а також ступеня поруватості матеріалу, геометрії пор і частоти модуляції інтенсивності падаючого світла.В даній роботі приводяться результати досліджень вольт-амперних характеристик, фотопровідності, які виникають в гетероструктурах, сформованих на основі ПК на кремнієвих підкладках різного типу провідності, при адсорбції водневомістких молекул (ацетон $mathrm{(CH_3)_2CO}$, бензол $mathrm{C_6H_6}$, толуол (метилбензол) $mathrm{C_6H_5-CH_3C_2H_5OH}$), а також кривих ВАХ при дії екологічних газів.Дослідження морфології поверхні зразків поруватого кремнію на кремнієвій підкладці n-типу провідності проводились за допомогою скануючого електронного мікроскопа РЕЕМА-102-02 та на скануючому зондовому мікроскопі SolverNEXTз наноіндентером Solver NexT, NT-MDT, методом атомно-силової мікроскопії (АСМ) в напівконтактній моді на повітрі. Представлено динамічні вольт-амперні характеристики, виміряні з метою встановлення ефективної області для реєстрації фотопровідності. Вольт-амперні характеристики структури має випрямляючий характер, причому не спостерігається насичення ані прямого, ані зворотного струму. У випадку дослідження фотопровідності, генеровані в поруватому кремнії носії рекомбінують поблизу межі області просторового розділення зарядів. Наявність товстих шарів ПК на кремнієвій підкладці n-типу провідності, показала наявність зміни сигналу провідності по струму у видимій області 500-800 нм. Представлено спектральні залежності провідності при наявності в атмосфері парів шкідливих вуглеводневих сполук із фіксованим вмістом домішок. Спостерігається зсув максимуму чутливості при невеликих сигналах для досліджуваного зразка в області 650-850 нм. Приведені експериментальні результати показують можливість застосування ПК як приклад застосування детектора шкідливих екологічних газів завдяки складній і розгалуженій поверхні досліджуваної структури.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем