ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 10

Випуск 10, Сторінки: 121-132
ВПЛИВ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОГО ВІДПАЛУ У ВАКУУМІ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО $p-mathrm{Cd_xHg_{1-x}Te}$ ($xapprox 0,28$)
В. Белюх, Б. Павлик
Досліджено вплив низькотемпературного (373 К) відпалу у вакуумі на електрофізичні характеристики монокристалічного $p-mathrm{Cd_xHg_{1-x}Te}$ ($xapprox 0,28$). Шляхом вимірювання температурних залежностей сталої Холла $R_H$, питомої електропровідності $sigma $ і холлівської рухливості $mu_H$ доведено, що вже через декілька годин перебування зразків за такої температури у вакуумі відбуваються суттєві зміни електрофізичних параметрів цього матеріалу. Кількісний аналіз змін електрофізичних параметрів виконано на основі моделі для $p-mathrm{Cd_xHg_{1-x}Te}$. З’ясовано, що причиною таких змін є істотне зростання концентрації вакансій ртуті,$[V_{Hg}]$, яка є дефектом акцепторного типу. Висловлено припущення про можливе існування верхньої межі концентрації вакансій ртуті, якої можна досягнути за такої температури відпалу. Результати моделювання дають всі підстави стверджувати, що це значення не перевищить $[V_{Hg}]approx 10^{17}$ см$^{-3}$. Зроблений висновок про те, що для збереження стабільності фізичних параметрів монокристалічного $p-mathrm{Cd_xHg_{1-x}Te}$ (x=0,19-0,3), в якому концентрація акцепторів $N_A$ у вихідному стані $< (2ldots 3) 10^{15}$ см$^{-3}$, обов’язковою є пасивація поверхні цього матеріалу.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем