ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 1

Випуск 1, Сторінки: 50-59
Деякі особливості хімічного травлення поверхонь монокристалічного кремнію
Б. Павлик, Р. Дідик, Й. Шикоряк, Р. Лис, Д. Слободзян, А. Грипа, І. Чегіль
Досліджено процеси перебудови структурних дефектів у приповерхневому шарі механічно оброблених поверхонь р-Si в міру його стравлювання з використанням методик оптичної та атомносилової мікроскопії. За допомогою оригінальної установки пластично деформували на задане значення масивні (товщиною до 4 мм) монокристалічні зразки кремнію. Розглянуто особливості розподілу дислокацій на площині (111) вздовж деформованих зразків в залежності від величини деформації. Наведено картини полірувального і селективного травлення поверхонь (111), (110) та (112) бездислокаційних і деформованих зразків р-Si. Показано, що місця виходу дислокацій на поверхню (111) декоровані глибокими (близько 2 мкм) дислокаційними ямками, на відміну від мілкіших ямок (близько 0,4 мкм) не пов’язаних з ліній-ними дефектами кристалічної ґратки. Показана можливість одержання інформації про кут виходу дислокації на поверхню або величину зміщення дислокації під дією зовнішніх факторів методом пошарового стравлювання поверхні.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем