ISSN 2224-087X (Друкована версія)
ISSN 2224-0888 (Online версія)

Збірник наукових праць "Електроніка та інформаційні технології"

(З 1966 року до 2010 року виходив під назвою "Теоретична електротехніка")

Свідоцтво про державну реєстрацію КВ № 17618-6468ПР від 11.02.2011 р.

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

Випуск 1

Випуск 1, Сторінки: 142-148
Особливості температурної залежності діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe у рамках моделі розподілу ефективних диполів за часами релаксації
О. Флюнт
Отримано та проаналізовано розв’язки системи диференціальних рівнянь, записаних для системи термоактивованих ефективних диполів, розподілених за часами релаксації в широкому часовому діапазоні. Розподіл диполів у системі відповідав діелектричним спектрам, характерним для систем зі стрибкоподібним переміщенням носіїв електричного заряду. З’ясовано, що, відповідно до запропонованої моделі, температурна залежність діелектричної проникності та діелектричних втрат у діапазоні домінування дисперсії типу ω-(1-n), де ω - циклічна частота, 1-n ≈ 0,2, підлягають оберненому закону Ареніуса exp(T/T0), де Т0 - стала, яка має розмірність температури. Модель пояснює збільшення параметра T0 у разі підвищення частоти прикладеного до зразка змінного електричного поля. Експериментальні дані, отримані на високоомних кристалах GaSe, підтверджують прогнозований характер температурних залежностей.
PDF-версія

Головна сторінка Пошук Правила оформлення статей English     Русский

© Львівський національний університет імені Івана Франка, 2011

Розробка програмного забезпечення та підтримка - лабораторія високопродуктивних обчислювальних систем